GCr15鋼套圈全脫碳和部分脫碳
2018-06-12 軸承套圈表面脫碳是滾動軸承早期失效的重要原因之一,軸承鋼GCr15套圈球化退火過程局部表層脫碳包括全脫碳和局部脫碳,造成淬火表面硬度不足或淬火軟點,降低軸承耐磨性和接觸疲勞強度,導致早期失效,見圖1。

軸承鋼脫碳時,表層一定厚度的體積內碳元素通過界面反應氧化成氣態CO逸出材料,反應速度由爐氣碳勢所控制;同時,表面碳原子濃度不斷降低、在表層形成碳濃度梯度的過程,由碳原子擴散速度所控制。從化學反應角度上分析,球化退火溫度下,雖然鐵元素和碳元素均發生氧化,但是前者反應產物是致密氧化鐵膜阻止了進一步氧化發生,而碳的氧化以碳原子被氧化生成CO逸出表面導致表層含碳量降低,因碳元素是鋼的基礎強化元素,金屬學中特別以脫碳表達鋼材表面的碳元素氧化過程,以示與鐵和其他合金元素的氧化過程區別。脫碳導致顯微組織變化、強度指標降低,惡化工件的服役性能和壽命的作用是很大的。
圖2示意說明GCr15套圈球化退火表層脫碳過程,其A1點為760℃,Acm點為900℃。根據軸承鋼含碳量為0.95~1.05%,套圈球化退火溫度設定為795℃,即加熱至A點保溫進行球化退火。片狀珠光體球化驅動力來自滲碳體球化使表面能降低,因為球化前后滲碳體的體積不變,在體積恒定前提下,以球體表面積為Z小。室溫下晶格中的原子擴散能力不夠,片狀滲碳體以亞穩態存在,當加熱到設定球化溫度,晶格原子振動頻率和振幅加大,能夠擺脫晶格勢壘的約束進行擴散,發生球化所需的滲碳體相晶格原子的溶解和重構。依靠片狀滲碳體的球化過程是一個熱力學自發過程,但是僅僅依靠表面能差值驅動,球化驅動力比較小,是一個比較耗時的工藝過程。當片狀珠光體在加熱到Ac1(760℃)以上溫度,首先發生鐵素體向奧氏體的轉變。與鐵素體相比,奧氏體的溶碳能力要大得多,明顯促進碳原子的遷移過程,有利于球化進行;球化保溫時滲碳體首先開始局部溶解,使片狀滲碳體斷開為若干斷續片狀滲碳體,碳原子溶入奧氏體基體,通過奧氏體基體遷移到片狀滲碳體曲率較小處沉積,實現球化;同時由于在二相區保溫,材料處于殘余滲碳體和成分不均勻奧氏體狀態。在冷卻過程中,奧氏體轉變為鐵素體同時排出過飽和的碳原子,因為殘余滲碳體表面曲率不同,滲碳體長大時曲率小的部位碳元素沉積多、曲率大處沉積少,即傾向于球體方式長大,Z終形成以殘余滲碳體質點為核心、均勻而細小的顆粒狀碳化物。這個過程可由圖2在A點保溫并緩冷球化說明;得到的金相組織是正常的軸承鋼球化退火組織。
圖2示意說明GCr15套圈球化退火表層脫碳過程,其A1點為760℃,Acm點為900℃。根據軸承鋼含碳量為0.95~1.05%,套圈球化退火溫度設定為795℃,即加熱至A點保溫進行球化退火。片狀珠光體球化驅動力來自滲碳體球化使表面能降低,因為球化前后滲碳體的體積不變,在體積恒定前提下,以球體表面積為Z小。室溫下晶格中的原子擴散能力不夠,片狀滲碳體以亞穩態存在,當加熱到設定球化溫度,晶格原子振動頻率和振幅加大,能夠擺脫晶格勢壘的約束進行擴散,發生球化所需的滲碳體相晶格原子的溶解和重構。依靠片狀滲碳體的球化過程是一個熱力學自發過程,但是僅僅依靠表面能差值驅動,球化驅動力比較小,是一個比較耗時的工藝過程。當片狀珠光體在加熱到Ac1(760℃)以上溫度,首先發生鐵素體向奧氏體的轉變。與鐵素體相比,奧氏體的溶碳能力要大得多,明顯促進碳原子的遷移過程,有利于球化進行;球化保溫時滲碳體首先開始局部溶解,使片狀滲碳體斷開為若干斷續片狀滲碳體,碳原子溶入奧氏體基體,通過奧氏體基體遷移到片狀滲碳體曲率較小處沉積,實現球化;同時由于在二相區保溫,材料處于殘余滲碳體和成分不均勻奧氏體狀態。在冷卻過程中,奧氏體轉變為鐵素體同時排出過飽和的碳原子,因為殘余滲碳體表面曲率不同,滲碳體長大時曲率小的部位碳元素沉積多、曲率大處沉積少,即傾向于球體方式長大,Z終形成以殘余滲碳體質點為核心、均勻而細小的顆粒狀碳化物。這個過程可由圖2在A點保溫并緩冷球化說明;得到的金相組織是正常的軸承鋼球化退火組織。

如果爐氣碳勢較低使表面脫碳,表面含碳量進入DC范圍,造成殘余滲碳體完全溶解,表層一定深度形成單相奧氏體。在隨后緩冷過程中,因為鋼中含鉻量較高,使得過冷奧氏體穩定性高而不發生先共析析出;繼續冷卻到圖2所示的灰色的“偽共析區域”,過冷奧氏體發生偽共析轉變,形成片狀珠光體,是軸承鋼球化退火部分脫碳的特征金相組織。如果脫碳發生在D點附近,表層部分區域進入單相奧氏體區域,其他部分仍舊處于奧氏體加殘余滲碳體的二相區,冷卻后前者發生偽共析轉變生成片狀珠光體,后者完成滲碳體球化過程,形成表層發生部分脫碳。由圖1(c)和(d)可見低倍視場樣品表面沒有形成厚度均勻的脫碳層或部分脫碳層,脫碳僅僅發生在表面局部地區;高倍視場中可見這些局部脫碳區片狀珠光體發育完好,層深約100微米,說明該體積單相奧氏體從高溫冷卻到A1溫度以下發生共析轉變,因此在球化退火加熱和保溫過程中,套圈表層這些局部區域生成單相奧氏體,其冷卻轉變產物僅僅生成珠光體而沒有先共析相生成,證明這些表層局部區域奧氏體含碳量處于接近共析成分的DC范圍中。
如果爐氣碳勢低于C,進入鐵素體和奧氏體二相區,在高溫下即生成或多或少鐵素體相。如果碳勢靠近B點加上保溫時間較長,表面下會生成鐵素體層即全脫碳層見圖1(a),高倍下可見基體外側存在由奧氏體轉變生成的少量珠光體見圖1(b)。碳勢越低、保溫時間越長,全脫碳層深度越大。
如果爐氣碳勢低于C,進入鐵素體和奧氏體二相區,在高溫下即生成或多或少鐵素體相。如果碳勢靠近B點加上保溫時間較長,表面下會生成鐵素體層即全脫碳層見圖1(a),高倍下可見基體外側存在由奧氏體轉變生成的少量珠光體見圖1(b)。碳勢越低、保溫時間越長,全脫碳層深度越大。
